Photodioda merupakan piranti semi konduktor dengan struktur sambungan p-n yang dirancang
untuk beroperasi bila dibiaskan dalam keadaan terbalik, untuk medeteksi cahaya.
Ketika energy cahaya dengan panjang gelombang yang benar jatuh pada sambungan
photodioda, arus mengalir dalam sirkuit eksternal. Komponen ini kemudian akan
bekerja sebagai arus, yang arusnya sebanding dengan intensitas cahaya itu.
Cahaya diserap di daerah penyambungan atau di daerah intrinsic menimbulkan pasangan
elektrone hole yang mengalami perubahan karakteristik elektris ketikam energy
cahaya melepaskan pembawa muatan dalam
bahan itu sehingga menyebabkan berubahnya konduktifitas.
Hal ini yang
menybabkan photo diode dapat menghasilkan tegangan atau arus listrik jika
terkena cahaya. Photo diode dugunakan dalam aplikasi –aplikasi yang meliputi
kartu bacaan, control cahaya ambient dan
layar proyektor. Pada photdioda kita mengenal istilah responsifitas yaitu
kemampuan dari sebuah photodiode dari photodiode merupakan perbandingan dalam
mA/mW pada panjang gelombang tertentu photodiode Honeywell SE3452 mempunyai
perbandingan 0,5mA/mW. Jika cahaya yang teradiasi pada cell2 mV,diode akan
menghasilakan arus yang mengalir sebesar
1mA (0,5mA/mW x 2 mV).respon tertinggi dari SE3452 sekitar 820nm.
Photodiode dapat diopersikan dalam 2 model yang berbeda :
- Metode potovoltaik: seprti solar sel, penyerapan pada photodiode menghasilkan tegangan yang dapat diukur. Bagaimanapun, tegangan yang dihasilkan dari energy cahaya sedikit tidak linier, range perubahannya sangat kecil.
- Mode potokonduktifitas: disini photodiode diaplikasikan sebagai tegangan reverse (tegangan balik) dari sebuah diode (yaitu tegnagn pada arah tersebut pada diode tidak akan dihantarkan tanpa terkena cahaya) dan pengukuran menghasilkan arus poto (hal ini juga bagus untuk mengaplikasikan tegangan mendekati nol). Ketergantungan arus poto pada kekuatan cahaya dapat sangat linier.
Karakteristik
bahan photodiode :
- Silicon (Si) : arus lemah saat gelap, kecepatan tinggi, sensitivitas yang bagus antara 400 nm sampai 1000nm (terbaik antara 800-900nm).
- Germanium (Ge) : arus tinggi saat gelap, kecepatan lambat, sensivitas baik antara 600nm-1800nm (terbaik 1400 sampai 1500nm).
- Indium Gallium Arsenida (InGaAs): mahal, arus kecil saat gelap, kecepatan tinggi sensivitas baik pada jarak 800 sampai 1700nm (terbaik antara 1300 sampai 1600nm).
Dikutip Dari Berbagai Sumber.
Tidak ada komentar:
Posting Komentar